バラン

バランは、STのプロセスを使用して高品質のRF受動部品を1枚のガラス基板上に集積しています。平衡/不平衡の変換だけでなく、整合回路も1mm²未満のフットプリントに集積して完全な機能を提供できます。

STの広範な統合型バランには、以下をはじめとするSTの最新トランシーバのコンパニオン･チップが幅広く用意されています。
- STのBluetooth® Low Energy 2.4GHz無線SoCのBlueNRG-1および新しいBlueNRG-2向けに最適化されたフットプリント1.2mm²のBALF-NRG-02D3とBALF-NRG-02J5
- STのSub-GHz RFトランシーバS2-LPとの併用を目的に設計されたBALF-SPI2-01D3（868MHz～927MHz）および新しいBALF-SPI2-02D3（433MHz～470MHz）
BALF-SPI2-01D3は、Sigfox無線コネクティビティに特化して開発されました。

上記の2つの製品のほか、他社製の各種トランシーバ向けに設計されたバランは、RF回路の複雑性を大幅に軽減し、リンク･バジェットを最適化します。 

他の利用可能なバランには、Decawave社のUWB DW1000 RF IC向けに最適化されたBAL-UWB-01E3、およびNordic Semiconductor社のBLE RF IC向けに最適化されたBALF-NRF01D3、BALF-NRF01E3、BALF-NRF01J5、およびBAL-NRF02D3シリーズがあります。