ST提供了汽车MOSFET的广泛选择，满足各种汽车系统的需求。AEC-Q101 MOSFET的击穿电压为– 80 V（p通道）到1200 V（n通道），支持最通用的封装选项，有更高的设计灵活性。
它们的低导通电阻和卓越的开关性能与最佳的高雪崩容量质量结合，助力更加稳定、可靠和节能的汽车应用。
主要特性：
- - 80 V至1200 V汽车级增强模式功率MOSFET
- 平面、高级沟槽和超结技术，具有低开关和导通损耗
- 标准和逻辑电平栅-源门限电压（VGS(th)）
- 最大工作结温（TJ(Max)）：175 °C和150 °C
- 广泛的功率封装（高电流能力）
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STMicroelectronics presents ACEPACK SMIT: a surface-mount power module with top-side cooling, which ensures higher power density and improved thermal management for very efficient and more compact systems.
