STPOWER SiC MOSFET是面向更紧凑和高效设计的创新型解决方案，而意法半导体正将新型宽带隙材料的优势扩展到大批量生产中。可从广泛的电压范围（650V、1200V和1700V）装置进行选择。STPOWER SiC MOSFET具有非常低的导通电阻RDS(on)，适用于不同的汽车和工业应用。STPOWER SiC MOSFET是合格的汽车级器件，符合AEC-Q101要求。
主要特性：
- 超高温处理能力（max.TJ = 200 °C）
- 显著降低开关损耗（随温度的变化降至最低）
- 低导通状态电阻
- 易于驱动
- 稳定的超快速本体