意法半导体提供了大量基于VIPower（垂直智能电源）技术的车规级智能3和5引脚低侧开关 (OMNIFET)。这项专有技术允许在同一芯片上集成全部数字和模拟控制与保护电路，以驱动垂直结构功率MOSFET。
具有集成特性的低侧开关是一种能够安全处理大电流的电源开关，可用于严苛的汽车环境。它们只需要1个简单的TTL逻辑输入（或者面向5引脚开关的CMOS逻辑输入）。此类器件与功率MOSFET引脚兼容，能够确保实时负载控制，具有过热保护功能，因此可以保护整个电路板。最新的5引脚器件还具有诊断特性。 低侧开关的工作温度范围为-40 ℃至+150 ℃。
意法半导体的低侧开关和驱动器产品组合包括单驱动和双驱动产品，具有数字状态，RDS(ON) 值从10 mΩ到300 mΩ不等。这些多功能器件可用于车身电子产品的电源系统，提供多种封装选项。
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OMNIFET III全保护下桥臂驱动器
当选择电感或电阻负载的固态电源开关时，耐用性与更高的可靠性是主要的选择标准，在汽车环境中尤其如此。OMNIFET III系列使用ST专有的VIPower M0-5技术制造，其功率限定过载保护方案达到了一个新的极限，它能在浪涌期间将电流限于更高的门限（IlimH）之下，而在热循环期间将门限降低至更低的值（IlimL），以此限制热应力，增加器件的总寿命。此外，断态时的负载开路/与Vcc短路选项也进一步增加了安全性。
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