OMNIFET :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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  • The VND10N06 and VND10N06-1 are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-2 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs in DC to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.

    主要特性

    • ESD protection
    • Logic level input threshold
    • High noise immunity
    • Linear current limitation
    • Short circuit protection
    • Thermal shutdown
    • Low current drawn from input pin
    • Schmitt trigger on input
    • Integrated clamp

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      DS1002
      "OMNIFET" fully autoprotected Power MOSFET
      4.0
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      DS1002

      "OMNIFET" fully autoprotected Power MOSFET

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      Smart power solutions for car body applications 4.0
      3.38 MB
      PDF

      Smart power solutions for car body applications

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 Material Declaration**
VND10N06-1-E
NRND
IPAK 汽车 Ecopack1
VND10N06-E
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DPAK 汽车 Ecopack1
VND10N06TR-E
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(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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