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  • The VNN7NV04P-E, VNS7NV04P-E, are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower™ M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.

    Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

    主要特性

    • Linear current limitation
    • Thermal shutdown
    • Short circuit protection
    • Integrated clamp
    • Low current drawn from input pin
    • Diagnostic feedback through input pin
    • ESD protection
    • Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
    • Compatible with standard Power MOSFET in compliance with the 2002/95/EC European Directive

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS6235
      OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
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      DS6235

      OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

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      Smart power solutions for car body applications 4.0
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      Smart power solutions for car body applications

质量与可靠性

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
VNN7NV04PTR-E
批量生产
SOT-223 Automotive Ecopack2

VNN7NV04PTR-E

Package:

SOT-223

Material Declaration**:

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SOT-223

Grade

Automotive

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Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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