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  • The VNP8T is a monolithic device designed in STMicroelectronics®VIPower®M0-3 technology, intended for the replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications.

    Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.
    Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

    主要特性

    • Linear current limitation
    • Thermal shutdown
    • Short circuit protection
    • Integrated clamp
    • Low current drawn from input pin
    • Diagnostic feedback through input pin
    • ESD protection
    • Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
    • Compatible with standard Power MOSFETs

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技术文档

    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS8933
      Omnifet II fully autoprotected Power MOSFET
      5.0
      474.73 KB
      PDF
      DS8933

      Omnifet II fully autoprotected Power MOSFET

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      Smart power solutions for car body applications 4.0
      3.38 MB
      PDF

      Smart power solutions for car body applications

质量与可靠性

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
VNP8TD8
批量生产
DICE SAWN T&R Automotive N/A

VNP8TD8

Package:

DICE SAWN T&R

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

Package

DICE SAWN T&R

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

N/A

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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封装
包装类型
Operating Temperature (°C) (min)
供货状态
ECCN (US)
Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
VNP8TD8 没有经销商,请联系我们的销售办事处 DICE SAWN T&R Tape And Reel -
批量生产
EAR99 SINGAPORE

VNP8TD8

封装

DICE SAWN T&R

包装类型

Tape And Reel

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Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

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ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

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