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  • The VNS1NV04DP-E is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower™ M0-3 technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protects the chip in harsh environments.

    Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

    主要特性

    • In compliance with the 2002/95/EC european directive
    • Compatible with standard power mosfet
    • ESD protection
    • Diagnostic feedback through input pin
    • Linear current limitation
    • Short circuit protection
    • Thermal shutdown
    • Low current drawn from input pin
    • Direct access to the gate of the power mosfet (analog driving)
    • Integrated clamp

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS6783
      OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
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      DS6783

      OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

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      Smart power solutions for car body applications 4.0
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      Smart power solutions for car body applications

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
VNS1NV04DP-E
NRND
SO-8 汽车应用 Ecopack2
VNS1NV04DPTR-E
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SO-8 汽车应用 Ecopack2

VNS1NV04DP-E

Package:

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Grade

Automotive

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Ecopack2

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Grade

Automotive

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(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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