产品概述
描述
The VNS3NV04DP-E device is made up of two monolithic chips (OMNIFET II) housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II is designed using STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 technology and is intended for replacement of standard Power MOSFETs in up to 50 kHz DC applications.
Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.
Fault feedback can be detected by monitoring voltage at the input pin
-
所有功能
- ECOPACK®: lead free and RoHS compliant
- Automotive Grade: compliance with AEC guidelines
- Linear current limitation
- Thermal shutdown
- Short circuit protection
- Integrated clamp
- Low current drawn from input pin
- Diagnostic feedback through input pin
- ESD protection
- Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
- Compatible with standard Power MOSFET
精选 视频
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - VNS3NV04DP-E
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符号
封装
3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 封装 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|
| VNS3NV04DP-E | NRND | SO-8 | 汽车应用 | Ecopack2 | |
| VNS3NV04DPTR-E | 批量生产 | SO-8 | 汽车应用 | Ecopack2 | |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | Order from distributors | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| VNS3NV04DPTR-E | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tape and Reel | SO-8 | - | - | CHINA | | ||
| VNS3NV04DP-E | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | NRND | EAR99 | NEC | Tube | SO-8 | - | - | CHINA | | ||
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