STPSC10H065G2

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650 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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This 10 A, 650 V SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. Housed in D²PAK HV, this diode is perfectly suited for a usage in PFC applications, in charging station, DC/DC, easing the compliance to IEC-60664-1.
The STPSC10H065G2 will boost performances in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases.
  • 所有功能

    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • High forward surge capability
    • Operating Tj from -40 °C to 175 °C
    • Power efficient product
    • D²PAK HV creepage distance (anode to cathode) = 5.38 mm min.
    • ECOPACK2 compliant component

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    • 产品型号
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      ST Diode Finder

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      用于安卓和iOS的二极管产品查找应用

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      ST Diode Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的二极管产品查找应用

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STMicroelectronics - STPSC10H065G2

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3D模型

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STPSC10H065G2-TR
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H2PAK-2 工业 Ecopack2

STPSC10H065G2-TR

Package:

H2PAK-2

Material Declaration**:

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Package

H2PAK-2

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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Junction Temperature (°C) (max):

175

Country of Origin:

CHINA

STPSC10H065G2-TR

供货状态

批量生产

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

1.483 / 50

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

H2PAK-2

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

1.483 / 50

Junction Temperature (°C) (max)

175

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商