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1200 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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  • 该款碳化硅(SiC)二极管可采用TO-220AC, DPAK HV, D²PAK 和 DO-247 LL封装,是一款超高性能的功率肖特基二极管,并使用碳化硅基板制造。宽带隙材料可用于设计1200 V额定电压的低VF(正向压降)肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。ST碳化硅(SiC)二极管特别适用于PFC和二次侧应用,可在硬开关条件下大幅提升效能。这款二极管将增强目标应用的性能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。

    主要特性

    • 无反向恢复,或反向恢复可忽略
    • 开关行为受温度影响小
    • 强大的高电压外设
    • 工作温度从-40 °C 到 175 °C
    • 低VF(正向压降)
    • ECOPACK®2 兼容

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      1200 V power Schottky silicon carbide diode

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      New generation of 650 V SiC diodes
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Presentations & Training Material

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      650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio 1.0
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      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages

      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary)

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      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STPSC10H12B-TR1
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