STPSC10TH13TI

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2 x 650V串联、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

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碳化硅(SiC)二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管,是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。 这款双管配置的650 V二极管特别适用于特定的无桥拓扑,可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。
  • 所有功能

    • 无反向恢复,或反向恢复可忽略
    • 开关行为受温度影响小
    • 适用于特定的无桥拓扑
    • 高耐正向浪涌电流能力
    • 绝缘封装:
      • Capacitance: 7 pF
      • Insulated voltage: 2500 V rms

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    • 产品型号
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      ST Diode Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的二极管产品查找应用

      Finder应用程序 ST
      ST Diode Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的二极管产品查找应用

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STMicroelectronics - STPSC10TH13TI

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符号

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STPSC10TH13TI
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TO-220AB Ins 工业 Ecopack2

STPSC10TH13TI

Package:

TO-220AB Ins

Material Declaration**:

PDF XML

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Package

TO-220AB Ins

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tube TO-220AB Ins - -

175

CHINA

STPSC10TH13TI 批量生产

封装:
TO-220AB Ins
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-

产品型号:

STPSC10TH13TI

ECCN (EU):

NEC

包装类型:

Tube

Operating Temperature (°C)

Min:

-

Max:

-

Junction Temperature (°C) (max):

175

Country of Origin:

CHINA

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(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商