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650 V power Schottky silicon carbide diode

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  • 碳化硅（SiC）二极管是一款高压功率肖特基二极管，使用碳化硅基板制造。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。

    这款二极管可用作续流或输出整流二极管，用来提高目标电源或逆变器的性能和结构尺寸。

    主要特性

    • 无反向恢复，或反向恢复可忽略
    • 开关行为受温度影响小
    • 专为PFC应用设计
    • 高耐正向浪涌电流能力
    • 工作结温，范围从-40 °C 到 175 °C
    • ECOPACK®2 兼容组件
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      650 V power Schottky silicon carbide diode       		2.0
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      DS11623

      650 V power Schottky silicon carbide diode

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      		AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes       		2.0
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      		PDF
      		AN5088
      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations       		2.0
      2.32 MB
      		PDF
      AN4242

      New generation of 650 V SiC diodes

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      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations

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      		TN1173
      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches       		7.0
      433.12 KB
      		PDF
      TN1173

      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches

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硬件型号、CAD库及SVD

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      		Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb) 7.0
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      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb)

      ZIP

Presentations & Training Material

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio 1.0
      751.57 KB
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      650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio

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出版刊物和宣传资料

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      		1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages 1.0
      748.77 KB
      		PDF
      		1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary) 1.0
      258.19 KB
      		PDF
      		Automotive-grade SiC diodes with very low forward voltage drop 1.0
      1.33 MB
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      		Industrial-grade SiC diodes - 650V and low VF - to boost the performance of power converters 2.0
      958.23 KB
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      		ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS 2.0
      1.46 MB
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      		Silicon-carbide diodes 1.0
      1.42 MB
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      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages

      PDF

      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary)

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      Automotive-grade SiC diodes with very low forward voltage drop

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      		Diodes and rectifiers selection guide 2.0
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      Diodes and rectifiers selection guide

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      Electric vehicle (EV) ecosystem

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      		Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
      792.49 KB
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      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics

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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STPSC12065D
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STPSC12065D

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