STPSC12H065C

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650 V、12 A双路高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

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  • 碳化硅(SiC)二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管,是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。

    这款双管配置的二极管特别适用于交错或无桥拓扑,可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。

    主要特性

    • 无反向恢复,或反向恢复可忽略
    • 开关行为受温度影响小
    • 高耐正向浪涌电流能力
    • ECOPACK®2 兼容组件

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      DS9753
      650 V power Schottky silicon carbide diode
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      DS9753

      650 V power Schottky silicon carbide diode

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      AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes
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      New generation of 650 V SiC diodes

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      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches
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      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb) 7.0
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      650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio 1.0
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      650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio

出版刊物和宣传资料

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      1200 V SiC diodes, 2 to 40 a in surface-mount and through-hole packages 1.0
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      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary) 1.0
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      650 V SiC DIODES for industrial applications 1.0
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      ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS 2.0
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      SiC DIODES IMPROVE EFFICIENCY 1.0
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      Silicon-carbide diodes 1.0
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      1200 V SiC diodes, 2 to 40 a in surface-mount and through-hole packages

      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary)

      650 V SiC DIODES for industrial applications

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      Diodes and rectifiers selection guide

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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
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质量与可靠性

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TO-220AB

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Junction Temperature (°C) (max)

175

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