STPSC16H065A

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650 V、16 A单路高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

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  • The STPSC16H065A SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

    Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode, packaged in TO-247, will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.

    主要特性

    • No or negligible reverse recovery
    • Temperature independent switching behavior
    • High forward surge capability
    • Operating Tj from -40 °C to 175 °C
    • Power efficient product
    • ECOPACK®2 compliant

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STPSC16H065AW
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STPSC16H065AW

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TO-247

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Industrial

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(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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包装类型

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Junction Temperature (°C) (max)

175

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商