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Automotive 650 V, 20 A SiC Power Schottky Diode

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  • 碳化硅（SiC）二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管，是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。

    ST碳化硅（SiC）二极管特别适用于PFC应用，可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。

    主要特性

    • 符合AEC-Q101标准
    • 无反向恢复，或反向恢复可忽略
    • 开关行为受温度影响小
    • 专为PFC应用设计
    • 高耐正向浪涌电流能力
    • ECOPACK®2 兼容组件
    • 具有PPAP功能（符合生产件批准程序）
    • 工作结温，范围从-40 °C 到 175 °C
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      Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode       		2.0
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      DS11616

      Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes       		2.0
      4.75 MB
      		PDF
      		AN5088
      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations       		2.0
      2.32 MB
      		PDF
      AN4242

      New generation of 650 V SiC diodes

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      		TN1173
      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches       		7.0
      433.12 KB
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      TN1173

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硬件型号、CAD库及SVD

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      		STPSC20065-Y PSpice model (.lib & .olb) 1.0
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出版刊物和宣传资料

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      		1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages 1.0
      748.77 KB
      		PDF
      		AC/DC input stage for onboard chargers With built-in inrush-current limitation (1-page summary) 1.0
      2.24 MB
      		PDF
      		Automotive-grade 650 V SiC diodes boost the performance of power converters 2.0
      938.71 KB
      		PDF
      		Automotive-grade SiC diodes with very low forward voltage drop 1.0
      1.33 MB
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      		ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS 2.0
      1.46 MB
      		PDF

      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages

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      AC/DC input stage for onboard chargers With built-in inrush-current limitation (1-page summary)

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      		Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
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      		Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
      792.49 KB
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      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics

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