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600 V 碳化硅功率肖特基二极管

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碳化硅（SiC）二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管，是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计600V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。 ST碳化硅（SiC）二极管能在硬开关条件下大幅提升PFC操作的性能。

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      批量生产

      用于安卓和iOS的二极管产品查找应用

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      ST Diode Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的二极管产品查找应用

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产品规格 (1)

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简报 (1)

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21 Jul 2020
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1200 V SiC diodes, 2 to 40 a in surface-mount and through-hole packages 1.0
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硬件型号、CAD库及SVD (1)

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Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb) 8.0
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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STPSC2006CW
批量生产
TO-247 工业 Ecopack2

STPSC2006CW

Package:

TO-247

Material Declaration**:

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批量生产

Package

TO-247

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Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。

样片和购买

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供货状态
ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度（ºC） Budgetary Price (US$)*/Qty
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COMPEL EUROPE 1 1 马上订购
P&S ASIA/PACIFIC 30 1 马上订购
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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

TO-247

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

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Budgetary Price (US$)* / Qty

Junction Temperature (°C) (max)

175

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价（美元）仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价，请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商 。