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  • 碳化硅(SiC)二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管,是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计600V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。

    ST碳化硅(SiC)二极管能在硬开关条件下大幅提升PFC操作的性能。

    主要特性

    • 无反向恢复,或反向恢复可忽略
    • 开关行为受温度影响小
    • 特别适用于PFC升压二极管功能

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS7121
      600 V power Schottky silicon carbide diode
      1.0
      75.08 KB
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      DS7121

      600 V power Schottky silicon carbide diode

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes
      2.0
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      AN5088
      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations
      2.0
      2.32 MB
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      AN4242

      New generation of 650 V SiC diodes

      AN5088

      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations

    • 描述 版本 文档大小 操作
      TN1173
      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches
      8.0
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      TN1173

      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches

硬件型号、CAD库及SVD

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      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb) 7.0
      102.88 KB
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      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb)

Presentations & Training Material

    • 描述 版本 文档大小 操作
      650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio 1.0
      751.57 KB
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      ST products and solutions for solar energy 5.1
      2.09 MB
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      650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio

      ST products and solutions for solar energy

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      1200 V SiC diodes, 2 to 40 a in surface-mount and through-hole packages 1.0
      580.17 KB
      PDF
      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary) 1.0
      258.19 KB
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      650 V SiC DIODES for industrial applications 1.0
      1.44 MB
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      ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS 2.0
      1.46 MB
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      SiC DIODES IMPROVE EFFICIENCY 1.0
      895.03 KB
      PDF

      1200 V SiC diodes, 2 to 40 a in surface-mount and through-hole packages

      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary)

      650 V SiC DIODES for industrial applications

      ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS

      SiC DIODES IMPROVE EFFICIENCY

    • 描述 版本 文档大小 操作
      Diodes and rectifiers selection guide 2.0
      815.09 KB
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      Diodes and rectifiers selection guide

    • 描述 版本 文档大小 操作
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
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      Products and solutions for solar energy 1.0
      1.29 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

      Products and solutions for solar energy

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      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
      792.49 KB
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      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STPSC2006CW
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TO-247 工业 Ecopack2

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代理商库存报告日期: 2020-09-18

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

TO-247

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

Junction Temperature (°C) (max)

175

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商