Automotive 650 V, 20 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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  • 碳化硅(SiC)二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管,是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。

    ST碳化硅(SiC)二极管特别适用于PFC应用,可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。

    主要特性

    • 在应用电流范围内无反向恢复
    • 开关行为受温度影响小
    • 专为PFC应用设计
    • 高耐正向浪涌电流能力
    • 符合AEC-Q101标准
    • ECOPACK®2 兼容组件
    • 具有PPAP功能(符合生产件批准程序)

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      Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode
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      DS10438

      Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode

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      AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes
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      AN5088
      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations
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      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages 1.0
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      AC/DC input stage for onboard chargers With built-in inrush-current limitation (1-page summary) 1.0
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      Automotive-grade 650 V SiC diodes boost the performance of power converters 2.0
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      Automotive-grade SiC diodes with very low forward voltage drop 1.0
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      ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS 2.0
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      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
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STPSC20H065CTY
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