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Automotive 1200 V, 20 A Silicon Carbide Diode

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  • 该款碳化硅(SiC)二极管可采用TO-220AC和D²PAK封装,是一款超高性能的功率肖特基二极管,并使用碳化硅基板制造。宽带隙材料可用于设计1200 V额定电压的低VF(正向压降)肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。ST碳化硅(SiC)二极管特别适用于PFC和二次侧应用,可在硬开关条件下大幅提升效能。这款二极管将增强目标应用的性能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。

    主要特性

    • 符合AEC-Q101标准
    • 无反向恢复,或反向恢复可忽略
    • 开关行为受温度影响小
    • 强大的高电压外设
    • 具有PPAP功能(符合生产件批准程序)
    • 工作结温,范围从-40 °C 到 175 °C
    • ECOPACK®2 兼容

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      Automotive 1200 V, 20 A, silicon carbide power Schottky diode
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      DS11830

      Automotive 1200 V, 20 A, silicon carbide power Schottky diode

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      AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes
      2.0
      4.75 MB
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      AN5088
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      AN4242

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      TN1173
      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches
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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STPSC20H12DY
批量生产
TO-220AC Automotive Ecopack2
STPSC20H12G2Y-TR
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D2PAK HV Automotive Ecopack2
STPSC20H12GY-TR
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STPSC20H12DY

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