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650 V、2 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

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  • The SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

    Especially suited for use in PFC applications, the STPSC2H065 SiC diode will boost performance in hard switching conditions.

    主要特性

    • No reverse recovery charge in application current range
    • Switching behavior independent of temperature
    • High forward surge capability
    • ECOPACK2 compliant component
    • Power efficient product

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS12989
      650 V, 2A High surge silicon carbide power Schottky diode
      1.0
      231.96 KB
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      DS12989

      650 V, 2A High surge silicon carbide power Schottky diode

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes
      2.0
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      AN5088
      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations
      2.0
      2.32 MB
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      AN4242

      New generation of 650 V SiC diodes

      AN5088

      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations

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      TN1173
      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches
      7.0
      433.12 KB
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      TN1173

      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches

硬件型号、CAD库及SVD

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      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb) 7.0
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      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb)

Presentations & Training Material

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      650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio 1.0
      751.57 KB
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      650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      1200 V SiC diodes, 2 to 40 a in surface-mount and through-hole packages 1.0
      580.17 KB
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      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary) 1.0
      258.19 KB
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      650 V SiC DIODES for industrial applications 1.0
      1.44 MB
      PDF
      ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS 2.0
      1.46 MB
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      SiC DIODES IMPROVE EFFICIENCY 1.0
      895.03 KB
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      Silicon-carbide diodes 1.0
      1.42 MB
      PDF

      1200 V SiC diodes, 2 to 40 a in surface-mount and through-hole packages

      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary)

      650 V SiC DIODES for industrial applications

      ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS

      SiC DIODES IMPROVE EFFICIENCY

      Silicon-carbide diodes

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      Diodes and rectifiers selection guide 2.0
      815.09 KB
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      Diodes and rectifiers selection guide

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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
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      Products and solutions for solar energy 1.0
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

      Products and solutions for solar energy

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      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
      792.49 KB
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      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STPSC2H065B-TR
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DPAK 工业 Ecopack2

STPSC2H065B-TR

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Industrial

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

DPAK

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(最小值)

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(最大值)

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Junction Temperature (°C) (max)

175

Country of Origin

CHINA

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