Automotive 650 V, 40 A dual SiC Power Schottky Diode

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  • 碳化硅(SiC)二极管是一款高压功率肖特基二极管,使用碳化硅基板制造。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。

    这款二极管可用作续流或输出整流二极管,用来提高目标电源或逆变器的性能和结构尺寸。

    主要特性

    • 在应用电流范围内无反向恢复
    • 开关行为受温度影响小
    • 专为PFC应用设计
    • 符合AEC-Q101标准
    • 具有PPAP功能(符合生产件批准程序)
    • ECOPACK® 2兼容组件

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      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages 1.0
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      AC/DC input stage for onboard chargers With built-in inrush-current limitation (1-page summary) 1.0
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      Automotive-grade 650 V SiC diodes boost the performance of power converters 2.0
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      Automotive-grade SiC diodes with very low forward voltage drop 1.0
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      ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS 2.0
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      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 Material Declaration**
STPSC40065CWY
批量生产
TO-247 汽车 Ecopack2

STPSC40065CWY

Package:

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Marketing Status

批量生产

Package

TO-247

Grade

Automotive

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Ecopack2

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