STPSC40065C

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650 V 碳化硅功率肖特基二极管

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碳化硅(SiC)二极管是一款高压功率肖特基二极管,使用碳化硅基板制造。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。

这款二极管可用作续流或输出整流二极管,用来提高目标电源或逆变器的性能和结构尺寸。

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      ST Diode Finder

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      用于安卓和iOS的二极管产品查找应用

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      ST Diode Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的二极管产品查找应用

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STMicroelectronics - STPSC40065C

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STPSC40065CW
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TO-247 工业 Ecopack2

STPSC40065CW

Package:

TO-247

Material Declaration**:

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TO-247

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Industrial

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Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tube TO-247 -40 175

175

CHINA

STPSC40065CW 批量生产

封装:
TO-247
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-

产品型号:

STPSC40065CW

ECCN (EU):

NEC

包装类型:

Tube

Operating Temperature (°C)

Min:

-40

Max:

175

Junction Temperature (°C) (max):

175

Country of Origin:

CHINA

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(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商