650 V power Schottky silicon-carbide diode

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  • 碳化硅(SiC)二极管是一款高压功率肖特基二极管,使用碳化硅基板制造。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。

    这款二极管可用作续流或输出整流二极管,用来提高目标电源或逆变器的性能和结构尺寸。

    主要特性

    • 在应用电流范围内无反向恢复
    • 开关行为受温度影响小
    • 专为PFC应用设计
    • ECOPACK®2 兼容组件

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出版刊物和宣传资料

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      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages 1.0
      748.77 KB
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      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary) 1.0
      258.19 KB
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      Automotive-grade SiC diodes with very low forward voltage drop 1.0
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      Industrial-grade SiC diodes - 650V and low VF - to boost the performance of power converters 2.0
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      ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS 2.0
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      Silicon-carbide diodes 1.0
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      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages

      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary)

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      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
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      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STPSC40065CW
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TO-247 工业 Ecopack2

STPSC40065CW

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