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2 x 650V tandem, 6 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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  • 碳化硅（SiC）二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管，是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。

    这款双管配置的650 V二极管特别适用于特定的无桥拓扑，可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。

    Key Features

    • 无反向恢复，或反向恢复可忽略
    • 开关行为受温度影响小
    • 适用于特定的无桥拓扑
    • 高耐正向浪涌电流能力
    • 绝缘封装：
      • Capacitance: 7 pF
      • Insulated voltage: 2500 V rms
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1.901 100 TO-220AB Ins Tube 175 EAR99 CHINA 没有经销商，请联系我们的销售办事处

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TO-220AB Ins

包装类型

Tube

Junction Temperature (°C) (max)

175

ECCN (US)

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CHINA

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      		DS9695
      Dual 650 V power Schottky silicon carbide diode in series       		3.0
      269.78 KB
      		PDF
      DS9695

      Dual 650 V power Schottky silicon carbide diode in series

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes       		2.0
      4.75 MB
      		PDF
      		AN5088
      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations       		2.0
      2.32 MB
      		PDF
      AN4242

      New generation of 650 V SiC diodes

      PDF
      AN5088

      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		TN1173
      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches       		6.0
      444.57 KB
      		PDF
      TN1173

      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches

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硬件型号、CAD库及SVD

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      		Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb) 6.0
      99.21 KB
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      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb)

      ZIP

演示和培训资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio 1.0
      751.57 KB
      		PDF

      650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio

      PDF

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages 1.0
      748.77 KB
      		PDF
      		1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary) 1.0
      258.19 KB
      		PDF
      		Automotive-grade SiC diodes with very low forward voltage drop 1.0
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      		PDF
      		Industrial-grade SiC diodes - 650V and low VF - to boost the performance of power converters 2.0
      958.23 KB
      		PDF
      		ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS 2.0
      1.46 MB
      		PDF
      		Silicon-carbide diodes 1.0
      1.42 MB
      		PDF

      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages

      PDF

      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary)

      PDF

      Automotive-grade SiC diodes with very low forward voltage drop

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      Industrial-grade SiC diodes - 650V and low VF - to boost the performance of power converters

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      		Diodes and rectifiers selection guide 2.0
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      Diodes and rectifiers selection guide

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      		Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
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      		PDF

      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics

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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 Material Declaration**
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批量生产
TO-220AB Ins 工业 Ecopack2

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Package:

TO-220AB Ins

Material Declaration**:

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Marketing Status

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Package

TO-220AB Ins

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Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.