STPSC8H065-Y

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汽车用650 V、8 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

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  • The SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

    Especially suited for use in PFC applications, the STPSC8H065-Y SiC diode will boost performance in hard switching conditions.

    主要特性

    • AEC-Q101 qualified
    • No reverse recovery charge in application current range
    • Switching behavior independent of temperature
    • Recommended to PFC applications
    • PPAP capable
    • VRRM guaranteed from -40 to 175 °C
    • D²PAK HV creepage distance (anode to cathode) = 5.38 mm min. (with top coating)
    • ECOPACK®2 compliant component

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS12495
      Automotive 650 V, 8 A high surge silicon carbide power Schottky diode
      3.0
      416.08 KB
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      DS12495

      Automotive 650 V, 8 A high surge silicon carbide power Schottky diode

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes
      2.0
      4.75 MB
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      AN5088
      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations
      2.0
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      AN4242

      New generation of 650 V SiC diodes

      AN5088

      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations

    • 描述 版本 文档大小 操作
      TN1173
      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches
      7.0
      433.12 KB
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      TN1173

      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches

硬件型号、CAD库及SVD

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      STPSC8H065-Y PSpice model (.lib & .olb) 1.0
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      STPSC8H065-Y PSpice model (.lib & .olb)

出版刊物和宣传资料

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      1200 V SiC diodes, 2 to 40 a in surface-mount and through-hole packages 1.0
      580.17 KB
      PDF
      AC/DC input stage for onboard chargers With built-in inrush-current limitation (1-page summary) 1.0
      2.24 MB
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      AUTOMOTIVE-GRADE SiC diodes with very low forward voltage drop 1.0
      571.75 KB
      PDF
      Automotive-grade 650 V SiC diodes boost the performance of power converters 2.0
      938.71 KB
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      ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS 2.0
      1.46 MB
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      1200 V SiC diodes, 2 to 40 a in surface-mount and through-hole packages

      AC/DC input stage for onboard chargers With built-in inrush-current limitation (1-page summary)

      AUTOMOTIVE-GRADE SiC diodes with very low forward voltage drop

      Automotive-grade 650 V SiC diodes boost the performance of power converters

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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

    • 描述 版本 文档大小 操作
      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
      792.49 KB
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      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STPSC8H065BY-TR
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DPAK 汽车应用 Ecopack2
STPSC8H065G2Y-TR
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D2PAK HV

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D2PAK HV

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Automotive

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(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tape And Reel D2PAK HV -40 175 1.16 / 100
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EAR99 NEC Tape And Reel DPAK -40 175 1.1 / 100
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DIGIKEY WORLDWIDE 265 1 马上订购
MOUSER WORLDWIDE 275 1 马上订购
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DIGIKEY

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封装

D2PAK HV

Operating Temperature (°C)

(最小值)

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(最大值)

175

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Junction Temperature (°C) (max)

175

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CHINA

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供货状态

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ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

1.1 / 100

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DIGIKEY WORLDWIDE 2788 1 马上订购
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ECCN (EU)

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包装类型

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封装

DPAK

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-40

(最大值)

175

Budgetary Price (US$)* / Qty

1.1 / 100

Junction Temperature (°C) (max)

175

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商