STPSC8H065C

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650 V, 8 A dual High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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  • 碳化硅(SiC)二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管,是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。

    这款双管配置的二极管特别适用于交错或无桥拓扑,可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。

    主要特性

    • 无反向恢复,或反向恢复可忽略
    • 开关行为受温度影响小
    • 高耐正向浪涌电流能力

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出版刊物和宣传资料

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      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages 1.0
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      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary) 1.0
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      Automotive-grade SiC diodes with very low forward voltage drop 1.0
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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 Material Declaration**
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TO-220AB 工业 Ecopack2

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Package:

TO-220AB

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Ecopack2

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