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STPSC8H065DLF

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8 A 650 V SiC Power Schottky Diode

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  • 这款8 A,650 V碳化硅二极管是具有超高性能的功率肖特基二极管并使用碳化硅基板制造。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。

     STPSC8H065DLF采用薄型PowerFLAT™8x8 HV封装，既可提供低正向导通压降带来的高能效品质，也可满足空间环境(如电信和网络，工业或可再生能源领域)对器件的高浪涌能力要求。

    主要特性

    •  高度小于1毫米的封装
    •  高爬电距离封装
    • 无反向恢复，或反向恢复可忽略
    •  没有或可忽略不计的反向恢复
    • 高耐正向浪涌电流能力
    •  低正向导通压降
    •  高能效功率产品
    • 元件符合ECOPACK®2 标准
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      650 V power Schottky silicon carbide diode       		1.0
      406.07 KB
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      DS12815

      650 V power Schottky silicon carbide diode

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      		AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes       		2.0
      4.75 MB
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      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations       		2.0
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      New generation of 650 V SiC diodes

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      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches       		6.0
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      		Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb) 7.0
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      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb)

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演示和培训资料

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      		650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio 1.0
      751.57 KB
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      650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio

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出版刊物和宣传资料

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      		1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages 1.0
      748.77 KB
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      		1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary) 1.0
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      		Automotive-grade SiC diodes with very low forward voltage drop 1.0
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      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages

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      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary)

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      Automotive-grade SiC diodes with very low forward voltage drop

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      Diodes and rectifiers selection guide

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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STPSC8H065DLF
批量生产
PowerFLAT 8x8 HV 工业 Ecopack2

STPSC8H065DLF

Package:

PowerFLAT 8x8 HV

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批量生产

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PowerFLAT 8x8 HV

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Ecopack2

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