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STPSC8H065DLF

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8 A 650 V SiC功率肖特基二极管

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这款8 A,650 V碳化硅二极管是具有超高性能的功率肖特基二极管并使用碳化硅基板制造。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。

 STPSC8H065DLF采用薄型PowerFLAT™8x8 HV封装，既可提供低正向导通压降带来的高能效品质，也可满足空间环境(如电信和网络，工业或可再生能源领域)对器件的高浪涌能力要求。

主要特性
-  高度小于1毫米的封装
-  高爬电距离封装
- 无反向恢复，或反向恢复可忽略
-  没有或可忽略不计的反向恢复
- 高耐正向浪涌电流能力
-  低正向导通压降
-  高能效功率产品
- 元件符合ECOPACK^®2 标准
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产品型号	状态	描述	类型	供应商
ST Diode Finder	批量生产	用于安卓和iOS的二极管产品查找应用	查找器App	ST	ST Diode Finder 描述: 用于安卓和iOS的二极管产品查找应用

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产品规格 (1)

	Resource title		Latest update
PDF	DS12815 650 V power Schottky silicon carbide diode 1.0		05 Dec 2018	05 Dec 2018 DS12815 650 V power Schottky silicon carbide diode 1.0

应用手册 (3)

	Resource title	Latest update
PDF	AN5436 Thermal behavior and printed circuit board assembly recommendations for STMicroelectronics PowerFLAT 8x8 HV package 1.0	03 Feb 2020	03 Feb 2020 AN5436 Thermal behavior and printed circuit board assembly recommendations for STMicroelectronics PowerFLAT 8x8 HV package 1.0
PDF	AN4242 New generation of 650 V SiC diodes 2.0	03 Apr 2020	03 Apr 2020 AN4242 New generation of 650 V SiC diodes 2.0
PDF	AN5088 Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations 2.0	24 Mar 2020	24 Mar 2020 AN5088 Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations 2.0

技术文档 (1)

	Resource title		Latest update
PDF	TN1173 Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches 8.0		25 Aug 2020	25 Aug 2020 TN1173 Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches 8.0

简报 (1)

	Resource title		Latest update
PDF	650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio 1.0		15 Oct 2019	15 Oct 2019 650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio 1.0

宣传册 (5)

	Resource title	Latest update
PDF	1200 V SiC diodes, 2 to 40 a in surface-mount and through-hole packages 1.0	21 Jul 2020	21 Jul 2020 1200 V SiC diodes, 2 to 40 a in surface-mount and through-hole packages 1.0
PDF	1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary) 1.0	19 Oct 2017	19 Oct 2017 1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary) 1.0
PDF	650 V SiC DIODES for industrial applications 1.0	06 Jul 2020	06 Jul 2020 650 V SiC DIODES for industrial applications 1.0
PDF	ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS 2.0	23 Mar 2020	23 Mar 2020 ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS 2.0
PDF	SiC DIODES IMPROVE EFFICIENCY 1.0	11 Jun 2020	11 Jun 2020 SiC DIODES IMPROVE EFFICIENCY 1.0

手册 (2)

	Resource title		Latest update
PDF	Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1		23 Mar 2020	23 Mar 2020 Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
PDF	Products and solutions for solar energy 1.0		15 Jun 2018	15 Jun 2018 Products and solutions for solar energy 1.0

会议文章 (1)

	Resource title		Latest update
PDF	Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0		23 Mar 2020	23 Mar 2020 Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0

EDA Symbols, Footprints and 3D Models

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硬件型号、CAD库及SVD (1)

	Resource title		Latest update
ZIP	Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb) 8.0		14 Dec 2020	14 Dec 2020 Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb) 8.0

质量与可靠性

产品型号	Marketing Status	封装	等级规格	符合RoHS级别	材料声明**
STPSC8H065DLF	批量生产	PowerFLAT 8x8 HV	工业	Ecopack2	PDF XML

STPSC8H065DLF

Package:

PowerFLAT 8x8 HV

Material Declaration**:

PDF XML

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Marketing Status

Package

PowerFLAT 8x8 HV

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系销售支持。

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ARROW	EUROPE	3000	0	马上订购
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PowerFLAT 8x8 HV

1.12 / 100

STPSC8H065DLF

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

PowerFLAT 8x8 HV

Operating Temperature (°C)

(最小值)

(最大值)

Budgetary Price (US$)* / Qty

1.12 / 100

Junction Temperature (°C) (max)

175

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价（美元）仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价，请联系您当地的 ST销售办事处或我们的经销商。

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