STPSC8TH13TI

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2 x 650V串联、8 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

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  • 碳化硅(SiC)二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管,是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。

    这款双管配置的650 V二极管特别适用于特定的无桥拓扑,可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。

    主要特性

    • 无反向恢复,或反向恢复可忽略
    • 开关行为受温度影响小
    • 适用于特定的无桥拓扑
    • 高耐正向浪涌电流能力
    • 绝缘封装:
      • Capacitance: 7 pF
      • Insulated voltage: 2500 V rms

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包装类型

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Junction Temperature (°C) (max)

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Country of Origin

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