产品概述
描述
STDRIVEG600是一款高速半桥栅极驱动器，专为驱动高电压增强模式GaN HEMT进行了优化。该器件具有集成式自举二极管，并允许为高达20 V的外部开关供电，具有专为GaN HEMT量身定制的欠电压保护。
EVSTDRIVEG600DG板简单易用、反应灵敏，可用于评估STDRIVEG600驱动650 V 增强模式GaN开关的特性。
该器件具有板载的可编程死区时间发生器和3.3 V线性稳压器，可以为微控制器等外部逻辑控制器供电。
另外还预留了空间，以便为最终应用定制板件，例如单独的输入信号或单一PWM信号，使用可选的外部自举二极管，为VCC、PVCC或BOOT单独供电，以及针对峰值电流模式拓扑使用低侧分流电阻。
EVSTDRIVEG600DG的尺寸为50 x 70 mm，FR-4PCB封装，静止空气中的Rth(J‑A)值为25 ℃/W。
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所有功能
- 半桥拓扑，具有600 V的STDRIVEG600栅极驱动器
- 配备150 mΩ 650 V HEMT GaN
- GaN采用5 x 6 mm PowerFLAT封装，带Kelvin源
- HV总线电压最高可达500 V
- 4.75至6.5 V的VCC栅极驱动器供电电压，受GaN VGS额定限制
- 板载可调死区时间生成器，将单一PWM信号转换为独立的高侧和低侧死区时间
- 也可以使用带外部死区时间的单独输入
- 板载3.3 V稳压器用于外部电路供电
- 结到环境的热阻为25 ℃/W，用于评估大功率拓扑
- 高频连接器，用于监测栅极GaN功率晶体管
- 可选低侧分流
- 通过RoHS 认证
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全部资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
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Board Manufacturing Specifications (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 2.0 | 20 Nov 2023 | 20 Nov 2023 |
物料清单 (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| 2.0 | 20 Nov 2023 | 20 Nov 2023 |
Schematic Pack (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| 2.0 | 20 Nov 2023 | 20 Nov 2023 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 封装 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | WEEE Compliant | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| EVSTDRIVEG600DG | 批量生产 | CARD | 工业 | Ecopack1 | - | |
EVSTDRIVEG600DG
Package:
CARDMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 封装 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | 供应商 | 核心产品 | Board production status | 供应商 | 核心产品 | Board production status | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EVSTDRIVEG600DG | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | ITALY | EAR99 | NEC | ST | STDRIVEG600 | - | ST | STDRIVEG600 | - |
EVSTDRIVEG600DG 批量生产
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Country of Origin:
ITALY
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ECCN (EU):
NEC
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