STDES-SICGP4

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产品概述

描述

STDES-SICGP4参考设计为半桥拓扑结构,用于评估采用HiP247-4(四个引线)封装的SiC功率MOSFET的开关和热性能。

MOSFET由隔离式栅极驱动器驱动。驱动器由隔离式DC-DC转换器供电。

该系统需要连接一个外部电感器、一个电源、一个负载和一个辅助电源,并需要接入PWM信号,可用于测试降压或升压配置下的运行情况。

该测试平台可连接低电感分流器或同轴分流器,测量通过低侧MOSFET的电流。在这种情况下,该测试平台可用作双脉冲测试 (DPT) 工具,测量过冲(电压和电流)、速度(di/dt;dv/dt)和开关能量(EON、EOFF、ERR)。

  • 所有功能

    • 半桥拓扑结构,包含采用HiP247-4封装的SiC功率MOSFET
    • 半桥拓扑结构由针对SiC MOSFET优化的STGAP2HS电隔离式栅极驱动器驱动
    • 隔离式门极驱动器由基于L6986I的隔离反激式转换器供电
    • 预设+18 V/-3 V电源电压,用于隔离式门极驱动器的输出级
    • 可设置特定的栅极电压以及正负电平
    • 可设置栅极电阻
    • 低电感检测电阻
    • 配备连接同轴分流电阻的连接器,为电流测量提供更高带宽
    • 规格:最大直流输入/输出电压:1 kV输入峰值电流(持续时间最长100 μs):69 A

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 WEEE Compliant 材料声明**
STDES-SICGP4
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STDES-SICGP4

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