MOSFET和IGBT驱动器

STDRIVE栅极驱动器是任何开关模式功率转换器中分立功率MOSFET和IGBT以及数字 – 微控制器、DSP和FPG – 或模拟控制器的必要配套组件，它生成必要的电压和电流值，能精确、有效地激活工业、消费者、计算机和汽车应用中的功率级。

借助适用于低压或高压（高达1500 V）应用的单桥、半桥和多通道驱动器等产品，意法半导体还提供了电流隔离栅极驱动器IC，满足安全和功能需求，系统级封装（SiP）解决方案集成了高边和低边栅极驱动器和基于MOSFET的功率级，符合更高集成度、更低开发成本的工业市场趋势。

在多数情况下，总有一款STDRIVE适合您的开关模式功率转换器。STDRIVE配备大量评估硬件和软件以及技术文档工具箱，可以帮助电机和运动控制系统的设计者，节约设计时间，以最大限度地缩短（终端产品）上市周期。

GaN技术相比于硅MOSFET能够支持实现更高速、更高效率和更高功率密度应用，从而正在深刻改变电力工程领域。集成GaN和驱动可以实现优化的栅极驱动布局、高功率密度和更高的开关频率（寄生效应降至最低，紧凑的单芯片解决方案简化了设计），从而能够提供高效率。MasterGaN平台和MasterGaN1首先进入市场，支持实现外形更紧凑、重量更轻且高度可靠的电源装置，并且减少设计工作量。