MOSFET和IGBT驱动器

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STDRIVE栅极驱动器是任何开关模式功率转换器中分立功率MOSFET和IGBT以及数字 – 微控制器、DSP和FPG – 或模拟控制器的必要配套组件,它生成必要的电压和电流值,能精确有效地激活工业、消费者、计算机和汽车应用中的功率级。

借助适用于低压或高压(高达1500 V)应用的单桥、半桥和多通道驱动器等产品,意法半导体还提供了电流隔离栅极驱动器IC,满足安全和功能需求,系统级封装(SiP)解决方案集成了高边和低边栅极驱动器和基于MOSFET的功率级,符合更高集成度、更低开发成本的工业市场趋势。

在多数情况下,总有一款STDRIVE适合您的开关模式功率转换器。STDRIVE配备大量评估硬件和软件以及技术文档工具箱,可以帮助电机和运动控制系统的设计者,节约设计时间,以最大限度地缩短(终端产品)上市周期

GaN技术相比于硅MOSFET能够支持实现更高速、更高效率和更高功率密度应用,从而正在深刻改变电力工程领域。集成GaN和驱动可以实现优化的栅极驱动布局、高功率密度和更高的开关频率(寄生效应降至最低,紧凑的单芯片解决方案简化了设计),从而能够提供高效率。MasterGaN平台和MasterGaN1首先进入市场,支持实现外形更紧凑、重量更轻且高度可靠的电源装置,并且减少设计工作量。