STDRIVE栅极驱动器是任何开关模式功率转换器中分立功率MOSFET和IGBT以及数字 – 微控制器、DSP和FPG – 或模拟控制器的必要配套组件,它生成必要的电压和电流值,能精确、有效地激活工业、消费者、计算机和汽车应用中的功率级。
借助适用于低压或高压(高达1500 V)应用的单桥、半桥和多通道驱动器等产品,意法半导体还提供了电流隔离栅极驱动器IC,满足安全和功能需求,系统级封装(SiP)解决方案集成了高边和低边栅极驱动器和基于MOSFET的功率级,符合更高集成度、更低开发成本的工业市场趋势。
在多数情况下,总有一款STDRIVE适合您的开关模式电源转换器。STDRIVE配备大量评估硬件和软件以及技术文档工具箱,可以帮助电机和运动控制系统的设计者,节约设计时间,以有效缩短(终端产品)上市周期。
氮化镓(GaN)技术通过硅MOSFET支持实现前所未有的高速、更高效率和功率密度,正在深刻改变电力工程领域。我们先进MasterGaN系统级封装集成了GaN晶体管和栅极驱动器,具有优化的栅极驱动布局、较高的功率密度以及因最小寄生效应而提升的开关频率,因此效率更高。
我们的MasterGaN平台包括MasterGaN1、MasterGaN2、MasterGaN3、MasterGaN4、MasterGaN5,现在可以更好地满足特定应用的要求。
GaN驱动设备是用于增强模式GaN FET或N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器
精选 视频
特别推荐
MasterGaN引领GaN功率技术新浪潮
意法半导体的MasterGaN是业内首个将硅驱动和两个GaN功率晶体管集成在单一封装中的集成解决方案,使性能超越了普通硅基解决方案,推动电力工程领域发生革命性变化。