STDRIVE栅极驱动器是任何开关模式功率转换器中分立功率MOSFET和IGBT以及数字 – 微控制器、DSP和FPG – 或模拟控制器的必要配套组件，它生成必要的电压和电流值，能精确、有效地激活工业、消费者、计算机和汽车应用中的功率级。
借助适用于低压或高压（高达1500 V）应用的单桥、半桥和多通道驱动器等产品，意法半导体还提供了电流隔离栅极驱动器IC，满足安全和功能需求，系统级封装（SiP）解决方案集成了高边和低边栅极驱动器和基于MOSFET的功率级，符合更高集成度、更低开发成本的工业市场趋势。
在多数情况下，总有一款STDRIVE适合您的开关模式电源转换器。STDRIVE配备大量评估硬件和软件以及技术文档工具箱，可以帮助电机和运动控制系统的设计者，节约设计时间，以有效缩短（终端产品）上市周期。
氮化镓（GaN）技术通过硅MOSFET支持实现前所未有的高速、更高效率和功率密度，正在深刻改变电力工程领域。我们先进MasterGaN系统级封装集成了GaN晶体管和栅极驱动器，具有优化的栅极驱动布局、较高的功率密度以及因最小寄生效应而提升的开关频率，因此效率更高。
我们的MasterGaN平台包括MasterGaN1、MasterGaN2、MasterGaN3、MasterGaN4、MasterGaN5，现在可以更好地满足特定应用的要求。
GaN驱动设备是用于增强模式GaN FET或N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器
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MasterGaN, ST's world first solution to integrate Si driver and 2 GaN power transistors in 1 package
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