产品概述
描述
MASTERGAN1是一款先进的系统级功率封装，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。
集成功率GaN具有150 mΩ的RDS（ON）和650 V漏源击穿电压，而嵌入式栅极驱动器的高侧可由集成式自举二极管轻松提供。
MASTERGAN1在上下驱动部分均具有UVLO保护，可防止电源开关在低效率或危险条件下运行，并且互锁功能可避免交叉传导情况。
输入引脚的扩展范围可与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。
MASTERGAN1的工作温度范围为-40°C至125°C。
该器件采用紧凑型9x9 mm QFN封装。
-
所有功能
- 集成半桥栅极驱动器和高压GaN的系统级功率封装
- RDS(ON) = 150 mΩ
- IDS(MAX) = 10 A
- IDS(MAX) = 10 A
- 反向电流能力
- 零反向恢复损耗
- 低边和高边UVLO保护
- 内置自举二极管
- 互锁功能
- 关闭功能专用引脚
- 准确的内部定时匹配
- 具有滞回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容输入
- 过热保护
- 减少物料单
- 非常紧凑且简便的布局
- 灵活快捷的设计。
- 集成半桥栅极驱动器和高压GaN的系统级功率封装
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STMicroelectronics - MASTERGAN1
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3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 封装 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|
| MASTERGAN1 | 批量生产 | VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM | 工业 | Ecopack2 | |
| MASTERGAN1TR | 批量生产 | VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM | 工业 | Ecopack2 |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | Order from distributors | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| MASTERGAN1 | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tray | VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM | -40 | 125 | THAILAND | | ||
| MASTERGAN1TR | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tape and Reel | VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM | -40 | 125 | THAILAND | | ||
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