MASTERGAN1

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High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

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产品概述

描述

MASTERGAN1是一款先进的系统级功率封装,在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。

集成功率GaN具有150 mΩ的RDS(ON)和650 V漏源击穿电压,而嵌入式栅极驱动器的高侧可由集成式自举二极管轻松提供。

MASTERGAN1在上下驱动部分均具有UVLO保护,可防止电源开关在低效率或危险条件下运行,并且互锁功能可避免交叉传导情况。

输入引脚的扩展范围可与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。

MASTERGAN1的工作温度范围为-40°C至125°C。

该器件采用紧凑型9x9 mm QFN封装。

  • 所有功能

    • 集成半桥栅极驱动器和高压GaN的系统级功率封装
      • RDS(ON) = 150 mΩ
      • IDS(MAX) = 10 A
      • IDS(MAX) = 10 A
    • 反向电流能力
    • 零反向恢复损耗
    • 低边和高边UVLO保护
    • 内置自举二极管
    • 互锁功能
    • 关闭功能专用引脚
    • 准确的内部定时匹配
    • 具有滞回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容输入
    • 过热保护
    • 减少物料单
    • 非常紧凑且简便的布局
    • 灵活快捷的设计。

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EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - MASTERGAN1

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