MASTERGAN2

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High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

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MASTERGAN2是一款先进的系统级功率封装,在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。 集成的GaN功率晶体管具有650 V漏-源击穿电压、低侧和高侧的RDS(ON)分别为150mΩ和225mΩ,而嵌入式栅极驱动器的高侧可以由集成的自举二极管轻松供电
MASTERGAN2在上下驱动部分均具有UVLO保护,可防止电源开关在低效率或危险条件下运行,并且互锁功能可避免交叉传导情况。
输入引脚的扩展范围可与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。
MASTERGAN2的工作温度范围为-40°C至125°C。
该器件采用紧凑型9x9 mm QFN封装。
  • 所有功能

    • 600 V系统级封装在非对称配置中集成了半桥栅极驱动器和高压氮化镓功率晶体管:
      • QFN 9 x 9 x 1 mm 封装
      • RDS(ON) = 150mΩ(低侧) + 225mΩ(高侧)
      • IDS(MAX) = 10 A(低侧) + 6.5 A(高侧)
    • 反向电流能力
    • 零反向恢复损耗
    • 低侧和高侧UVLO保护
    • 内置自举二极管
    • 互锁功能
    • 关闭功能专用引脚
    • 准确的内部定时匹配
    • 具有滞回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容输入
    • 热保护
    • 减少物料单
    • 非常紧凑且简便的布局
    • 灵活快捷的设计。

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      EVALMASTERGAN2

      批量生产

      Demonstration board for MASTERGAN2 high power density half-bridge high voltage driver with two 650V enhanced mode GaN HEMT

      电源和功率转换器解决方案评估板 ST
      EVALMASTERGAN2

      描述:

      Demonstration board for MASTERGAN2 high power density half-bridge high voltage driver with two 650V enhanced mode GaN HEMT

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STMicroelectronics - MASTERGAN2

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MASTERGAN2
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VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM 工业 Ecopack2
MASTERGAN2TR
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VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM 工业 Ecopack2

MASTERGAN2

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VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

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VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

Grade

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Ecopack2

MASTERGAN2TR

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VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

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(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tape And Reel VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM -40 125 THAILAND 7.15 / 1k
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EAR99 NEC Tray VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM -40 125 THAILAND 7.15 / 1k

MASTERGAN2TR

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VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

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