MASTERGAN3

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高功率密度600 V半桥驱动器,配两个增强模式GaN HEMT

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MASTERGAN3是一款先进的系统级功率封装,在非对称半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN功率晶体管。

集成的功率氮化镓具有650 V耐压和RDS(ON) 为225毫欧的下管以及导通阻抗为450 mΩ的上管,同时上管的驱动电压可以方便的通过内置的自举二极管提供。

MASTERGAN3在上下管都有驱动欠压保护功能,避免由于驱动不足导致效率低的危险工况。 驱动输入逻辑信号具有互锁功能,避免上下管共通。

输入引脚的扩展范围可与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。

MASTERGAN3的工作温度范围为-40°C至125°C。

该器件采用紧凑型9x9 mm QFN封装。

  • 所有功能

    • 600 V系统级封装集成了半桥驱动和高压氮化镓开关管的非对称设计
      • QFN 9 x 9 x 1 mm 封装
      • RDS(ON) = 225 mΩ(低边)+ 450 mΩ(高边)
      • IDS(MAX) = 6.5 A(低边) + 4 A(高边)
    • 反向电流能力
    • 零反向恢复损耗
    • 低边和高边UVLO保护
    • 集成自举二极管
    • 互锁功能
    • 关闭功能专用引脚
    • 准确的内部定时匹配
    • 具有滞回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容输入
    • 过热保护
    • 减少物料单
    • 非常紧凑且简便的布局
    • 灵活快捷的设计。

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      EVALMASTERGAN3

      批量生产

      Demonstration board for MASTERGAN3 high power density half-bridge high voltage driver with two 650 V enhanced mode GaN HEMTs

      电源和功率转换器解决方案评估板 ST
      EVALMASTERGAN3

      描述:

      Demonstration board for MASTERGAN3 high power density half-bridge high voltage driver with two 650 V enhanced mode GaN HEMTs

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STMicroelectronics - MASTERGAN3

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VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM 工业 Ecopack2
MASTERGAN3TR
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VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM 工业 Ecopack2

MASTERGAN3

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VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

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VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

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MASTERGAN3TR

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VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

Material Declaration**:

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VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

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(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tray VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM - - THAILAND
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EAR99 NEC Tape and Reel VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM - - THAILAND

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EAR99
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MASTERGAN3TR 批量生产

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VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-

产品型号:

MASTERGAN3TR

ECCN (EU):

NEC

包装类型:

Tape and Reel

Operating Temperature (°C)

Min:

-

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-

Country of Origin:

THAILAND

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(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商