MASTERGAN5

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High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power HEMTs

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产品概述

描述

MASTERGAN5是一款先进的系统级功率封装,在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强型GaN功率晶体管。集成式功率GaN具有650 V漏极-源极阻断电压,以及450mΩ的导通电阻RDS(ON),而嵌入式栅极驱动器的高边可以由集成的自举二极管轻松供电。

MASTERGAN5在上下管部分均具有UVLO保护,可防止电源开关在低效率或危险条件下运行,并且互锁功能可避免交叉传导情况。

输入引脚的扩展范围可与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。

MASTERGAN5的工作温度范围为-40°C至125°C。

该器件采用紧凑型9x9 mm QFN封装。

  • 所有功能

    • 集成了半桥栅极驱动器的高压600 V系统级封装GaN功率晶体管:
      • QFN 9 x 9 x 1 mm 封装
      • RDS(ON) = 450 mΩ
      • IDS(MAX) = 4 A
    • 反向电流能力
    • 零反向恢复损耗
    • 低侧和高侧UVLO保护
    • 集成自举二极管
    • 互锁功能
    • 关闭功能专用引脚
    • 准确的内部定时匹配
    • 具有滞回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容输入
    • 超温保护
    • 减少物料单
    • 非常紧凑且简便的布局
    • 灵活快捷的设计。

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EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - MASTERGAN5

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MASTERGAN5
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MASTERGAN5TR
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VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM 工业 Ecopack2

MASTERGAN5

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VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

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Industrial

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EAR99 NEC Tray VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM - - THAILAND

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ECCN (US):
EAR99
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-

产品型号:

MASTERGAN5

ECCN (EU):

NEC

包装类型:

Tray

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