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High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power HEMTs

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MASTERGAN5是一款先进的系统级功率封装,在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强型GaN功率晶体管。集成式功率GaN具有650 V漏极-源极阻断电压,以及450mΩ的导通电阻RDS(ON),而嵌入式栅极驱动器的高边可以由集成的自举二极管轻松供电。

MASTERGAN5在上下管部分均具有UVLO保护,可防止电源开关在低效率或危险条件下运行,并且互锁功能可避免交叉传导情况。

输入引脚的扩展范围可与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。

MASTERGAN5的工作温度范围为-40°C至125°C。

该器件采用紧凑型9x9 mm QFN封装。

  • 所有功能

    • 集成了半桥栅极驱动器的高压600 V系统级封装GaN功率晶体管:
      • QFN 9 x 9 x 1 mm 封装
      • RDS(ON) = 450 mΩ
      • IDS(MAX) = 4 A
    • 反向电流能力
    • 零反向恢复损耗
    • 低侧和高侧UVLO保护
    • 集成自举二极管
    • 互锁功能
    • 关闭功能专用引脚
    • 准确的内部定时匹配
    • 具有滞回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容输入
    • 超温保护
    • 减少物料单
    • 非常紧凑且简便的布局
    • 灵活快捷的设计。

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      EVALMASTERGAN5

      批量生产

      Demonstration board for MASTERGAN5 high power density half-bridge high voltage driver with two 650 V enhanced mode GaN HEMTs

      电源和功率转换器解决方案评估板 ST
      EVALMASTERGAN5

      描述:

      Demonstration board for MASTERGAN5 high power density half-bridge high voltage driver with two 650 V enhanced mode GaN HEMTs

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VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM 工业 Ecopack2

MASTERGAN5

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(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tape and Reel VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM - - THAILAND
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EAR99 NEC Tray VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM - - THAILAND

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Tape and Reel

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EAR99
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NEC

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