PWD13F60

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高密度功率驱动器 - 高压全桥与集成式栅极驱动器

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产品概述

描述

PWD13F60是一款高密度功率驱动器,集成了栅极驱动器和四个N沟道功率MOSFET,采用双半桥配置。

集成功率MOSFET的RDS(on) 为 320 mΩ 漏源击穿电压为600 V,而集成自举二极管可方便地提供高侧的嵌入式栅极驱动器。该设备的高度集成使其能够在极小的空间内有效地驱动负载。

PWD13F60器件接受在很宽范围内扩展的电源电压(VCC) 并通过电源电压上的低压UVLO检测进行保护。

输入引脚扩展范围允许与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松接口。

该设备可在紧凑的VFQFPN封装中使用。

  • 所有功能

    • 集成栅极驱动和高压功率MOSFET的系统级封装
      • Low RDS(on) = 320 mΩ
      • BVDSS = 600 V
    • 适合作为
      • 全桥
      • 双独立半桥
    •  驱动器电源电压低至6.5 V.
    •  电源电压的UV保护
    • 3.3V至15 V兼容输入,具有迟滞和下拉功能
    • 互锁功能,防止交叉传导
    •  内置自举二极管
    • 输出与输入同相位
    •  非常紧凑和简化的布局
    •  灵活,简单,快速的设计

电路原理图

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STMicroelectronics - PWD13F60

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PWD13F60
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QFN 10X13 工业 Ecopack2
PWD13F60TR
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QFN 10X13 工业 Ecopack2

PWD13F60

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QFN 10X13

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QFN 10X13

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Ecopack2

PWD13F60TR

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QFN 10X13

Material Declaration**:

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QFN 10X13

Grade

Industrial

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Ecopack2

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EAR99 NEC Tape and Reel QFN 10X13 -40 125 SOUTH KOREA
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EAR99 NEC Tray QFN 10X13 -40 125 SOUTH KOREA

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封装:
QFN 10X13
ECCN (US):
EAR99
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产品型号:

PWD13F60TR

ECCN (EU):

NEC

包装类型:

Tape and Reel

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Max:

125

Country of Origin:

SOUTH KOREA

PWD13F60 批量生产

封装:
QFN 10X13
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-

产品型号:

PWD13F60

ECCN (EU):

NEC

包装类型:

Tray

Operating Temperature (°C)

Min:

-40

Max:

125

Country of Origin:

SOUTH KOREA

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