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High-density power driver - high voltage full bridge with integrated gate driver

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  • PWD13F60是一款高密度功率驱动器,集成了栅极驱动器和四个N沟道功率MOSFET,采用双半桥配置。

    集成功率MOSFET的RDS(on) 为 320 mΩ 漏源击穿电压为600 V,而集成自举二极管可方便地提供高侧的嵌入式栅极驱动器。该设备的高度集成使其能够在极小的空间内有效地驱动负载。
    PWD13F60器件接受在很宽范围内扩展的电源电压(VCC) 并通过电源电压上的低压UVLO检测进行保护。
    输入引脚扩展范围允许与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松接口。
    该设备可在紧凑的VFQFPN封装中使用。

    主要特性

    • 集成栅极驱动和高压功率MOSFET的系统级封装
      • Low RDS(on) = 320 mΩ
      • BVDSS = 600 V
    • 适合作为
      • 全桥
      • 双独立半桥
    •  驱动器电源电压低至6.5 V.
    •  电源电压的UV保护
    • 3.3V至15 V兼容输入,具有迟滞和下拉功能
    • 互锁功能,防止交叉传导
    •  内置自举二极管
    • 输出与输入同相位
    •  非常紧凑和简化的布局
    •  灵活,简单,快速的设计

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      DS12241

      High-density power driver - high voltage full bridge with integrated gate driver

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      PWD13F60系统级封装高压全桥功率驱动器,小体积QFN封装 02.2018
      768.86 KB
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      PWD13F60系统级封装高压全桥功率驱动器,小体积QFN封装

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PWD13F60
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QFN 10X13 Industrial Ecopack2
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