产品概述
描述
PWD13F60是一款高密度功率驱动器，集成了栅极驱动器和四个N沟道功率MOSFET，采用双半桥配置。
集成功率MOSFET的RDS(on) 为 320 mΩ 漏源击穿电压为600 V，而集成自举二极管可方便地提供高侧的嵌入式栅极驱动器。该设备的高度集成使其能够在极小的空间内有效地驱动负载。
PWD13F60器件接受在很宽范围内扩展的电源电压(VCC) 并通过电源电压上的低压UVLO检测进行保护。
输入引脚扩展范围允许与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松接口。
该设备可在紧凑的VFQFPN封装中使用。
-
所有功能
- 集成栅极驱动和高压功率MOSFET的系统级封装
- Low RDS(on) = 320 mΩ
- BVDSS = 600 V
- 适合作为
- 全桥
- 双独立半桥
- 驱动器电源电压低至6.5 V.
- 电源电压的UV保护
- 3.3V至15 V兼容输入，具有迟滞和下拉功能
- 互锁功能，防止交叉传导
- 内置自举二极管
- 输出与输入同相位
- 非常紧凑和简化的布局
- 灵活，简单，快速的设计
- 集成栅极驱动和高压功率MOSFET的系统级封装
电路原理图
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STMicroelectronics - PWD13F60
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符号
封装
3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 封装 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|
| PWD13F60 | 批量生产 | QFN 10X13 | 工业 | Ecopack2 | |
| PWD13F60TR | 批量生产 | QFN 10X13 | 工业 | Ecopack2 | |
PWD13F60
Package:
QFN 10X13Material Declaration**:
PWD13F60TR
Package:
QFN 10X13Material Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | Order from distributors | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| PWD13F60TR | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tape and Reel | QFN 10X13 | -40 | 125 | SOUTH KOREA | | ||
| PWD13F60 | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tray | QFN 10X13 | -40 | 125 | SOUTH KOREA | | ||
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