PWD13F60

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高密度功率驱动器 - 高压全桥与集成式栅极驱动器

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PWD13F60是一款高密度功率驱动器,集成了栅极驱动器和四个N沟道功率MOSFET,采用双半桥配置。

集成功率MOSFET的RDS(on) 为 320 mΩ 漏源击穿电压为600 V,而集成自举二极管可方便地提供高侧的嵌入式栅极驱动器。该设备的高度集成使其能够在极小的空间内有效地驱动负载。

PWD13F60器件接受在很宽范围内扩展的电源电压(VCC) 并通过电源电压上的低压UVLO检测进行保护。

输入引脚扩展范围允许与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松接口。

该设备可在紧凑的VFQFPN封装中使用。

  • 所有功能

    • 集成栅极驱动和高压功率MOSFET的系统级封装
      • Low RDS(on) = 320 mΩ
      • BVDSS = 600 V
    • 适合作为
      • 全桥
      • 双独立半桥
    •  驱动器电源电压低至6.5 V.
    •  电源电压的UV保护
    • 3.3V至15 V兼容输入,具有迟滞和下拉功能
    • 互锁功能,防止交叉传导
    •  内置自举二极管
    • 输出与输入同相位
    •  非常紧凑和简化的布局
    •  灵活,简单,快速的设计

电路原理图

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    • 产品型号
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      EVALPWD13F60

      批量生产

      PWD13F60的高压评估板

      Brushed Motors ST
      EVALPWD13F60

      描述:

      PWD13F60的高压评估板

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STMicroelectronics - PWD13F60

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符号

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
PWD13F60
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QFN 10X13 工业 Ecopack2
PWD13F60TR
批量生产
QFN 10X13 工业 Ecopack2

PWD13F60

Package:

QFN 10X13

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

Package

QFN 10X13

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

PWD13F60TR

Package:

QFN 10X13

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

Package

QFN 10X13

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tape and Reel QFN 10X13 -40 125 SOUTH KOREA
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EAR99 NEC Tray QFN 10X13 -40 125 SOUTH KOREA

PWD13F60TR 批量生产

封装:
QFN 10X13
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-

产品型号:

PWD13F60TR

ECCN (EU):

NEC

包装类型:

Tape and Reel

Operating Temperature (°C)

Min:

-40

Max:

125

Country of Origin:

SOUTH KOREA

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PWD13F60 批量生产

封装:
QFN 10X13
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-

产品型号:

PWD13F60

ECCN (EU):

NEC

包装类型:

Tray

Operating Temperature (°C)

Min:

-40

Max:

125

Country of Origin:

SOUTH KOREA

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(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商