产品概述
描述
PWD5F60是一款先进的system-in-package产品，集成了栅驱动器和双半桥四个N通道功率MOSFETs。
集成功率MOSFET具有1.38Ω的RDS(ON) 和600 V漏极 - 源极击穿电压，而集成的自举二极管可以帮助轻松提供上桥臂的栅极驱动。该器件的高集成度可以在狭小的空间内有效地驱动负载。
PWD5F60可接受宽范围（10 V至20 V）的电源电压（VCC）, 并在下部和上部驱动部分都具有UVLO保护功能, 可防止电源开关在低效率或危险条件下工作。
该输入引脚扩展范围允许与微控制器， DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。
PWD5F60内嵌两个独立的比较器，可用于防止过流，过温等保护。
PWD5F60的工作温度范围为-40°C至125°C。
该器件采用紧凑型VFQFPN封装。
-
所有功能
- 集成栅极驱动和高压功率MOSFET的封装电力系统
- RDS(ON) = 1.38 Ω
- BVDSS = 600 V
- 适合作为
- 全桥接线法
- 双独立半桥
- 低侧和高侧UVLO保护
- 3.3V至15V兼容的滞后和下拉输入
- 内置自举二极管
- 独立的比较器
- 可调死区
- 物料削减单
- 非常紧凑和简化的布局
- 灵活、简便、快速的设计
- 集成栅极驱动和高压功率MOSFET的封装电力系统
电路原理图
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STMicroelectronics - PWD5F60
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符号
封装
3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 封装 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|
| PWD5F60 | 批量生产 | QFN.150.70.10-46L | 工业 | Ecopack2 | |
| PWD5F60TR | 批量生产 | QFN.150.70.10-46L | 工业 | Ecopack2 |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | Order from distributors | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| PWD5F60TR | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tape and Reel | QFN.150.70.10-46L | -40 | 125 | SOUTH KOREA | | ||
| PWD5F60 | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tray | QFN.150.70.10-46L | -40 | 125 | SOUTH KOREA | | ||
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