STDRIVEG600

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High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors

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产品概述

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STDRIVEG600是用于增强型GaN FET或N沟道功率MOSFET的单芯片半桥栅极驱动器。 高边部分的设计可承受最高600 V的电压,适用于总线电压高达500 V的设计。
该器件具有高电流能力、短传播延迟和低至5 V的工作电源电压,其设计用于驱动高速GaN和Si FET。
STDRIVEG600在上下驱动部分均具有UVLO保护,可防止电源开关在低效率或危险条件下运行,并且互锁功能可避免交叉传导情况。
逻辑输入兼容CMOS/TTL(可低至3.3 V),易于与微控制器和DSP连接。
  • 所有功能

    • dV/dt抗扰度±200 V/ns
    • 驱动器电流能力:
      • 1.3/2.4 A 拉/灌 典型值 @25°C,6 V
      • 5.5/6 A 拉/灌 典型值 @25°C,15 V
    • 开关栅极驱动器引脚相分离
    • 45 ns传播延迟,紧密匹配
    • 具有迟滞的3.3 V,5 V TTL / CMOS输入
    • 互锁功能
    • 低边和高边部分的UVLO
    • 关闭功能专用引脚
    • 超温保护

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    • 产品型号
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      供应商

      EVSTDRIVEG600DG

      批量生产

      Demonstration board for STDRIVEG600 600V high-speed half-bridge gate driver with enhanced mode GaN HEMTs

      电源和功率转换器解决方案评估板 ST
      EVSTDRIVEG600DG

      描述:

      Demonstration board for STDRIVEG600 600V high-speed half-bridge gate driver with enhanced mode GaN HEMTs

      EVSTDRIVEG600DM

      批量生产

      装配MDmesh DM2功率MOSFET的STDRIVEG600 600V高速半桥栅极驱动器演示板

      电源和功率转换器解决方案评估板 ST
      EVSTDRIVEG600DM

      描述:

      装配MDmesh DM2功率MOSFET的STDRIVEG600 600V高速半桥栅极驱动器演示板

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STMicroelectronics - STDRIVEG600

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符号

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3D model

3D模型

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STDRIVEG600
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SO-16 工业 Ecopack2
STDRIVEG600TR
批量生产
SO-16 工业 Ecopack2

STDRIVEG600

Package:

SO-16

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SO-16

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STDRIVEG600TR

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EAR99 NEC Tube SO-16 -40 150 TAIWAN 1.173 / 1k
STDRIVEG600TR Available at 4 distributors

经销商的可用性STDRIVEG600TR

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地区 库存 最小订购量 第三方链接
DIGIKEY WORLDWIDE 2482 1 Buy from Distributor
MOUSER WORLDWIDE 2127 1 Buy from Distributor
Farnell Element14 EUROPE 259 1 Buy from Distributor
ANGLIA Live EUROPE 2560 1 Buy from Distributor

代理商库存报告日期: 2022-01-25

代理商名称

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EAR99 NEC Tape And Reel SO-16 -40 150 TAIWAN 1.173 / 1k

STDRIVEG600

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包装类型

Tube

封装

SO-16

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-40

(最大值)

150

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Country of Origin

TAIWAN

STDRIVEG600TR

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NEC

包装类型

Tape And Reel

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(最小值)

-40

(最大值)

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Country of Origin

TAIWAN

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商