STDRIVEG600

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GaN晶体管的高压半桥栅极驱动器

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产品概述

描述

STDRIVEG600是用于增强型GaN FET或N沟道功率MOSFET的单芯片半桥栅极驱动器。

高边部分的设计可承受最高600 V的电压,适用于总线电压高达500 V的设计。

该器件具有高电流能力、短传播延迟和低至5 V的工作电源电压,其设计用于驱动高速GaN和Si FET。

STDRIVEG600在上下驱动部分均具有UVLO保护,可防止电源开关在低效率或危险条件下运行,并且互锁功能可避免交叉传导情况。

逻辑输入兼容CMOS/TTL(可低至3.3 V),易于与微控制器和DSP连接。

  • 所有功能

    • dV/dt抗扰度±200 V/ns
    • 驱动器电流能力:
      • 1.3/2.4 A 拉/灌 典型值 @25°C,6 V
      • 5.5/6 A 拉/灌 典型值 @25°C,15 V
    • 开关栅极驱动器引脚相分离
    • 45 ns传播延迟,紧密匹配
    • 具有迟滞的3.3 V,5 V TTL / CMOS输入
    • 互锁功能
    • 低边和高边部分的UVLO
    • 关闭功能专用引脚
    • 超温保护

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STMicroelectronics - STDRIVEG600

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