STGAP2SICD

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电流隔离4 A双重栅极驱动器

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产品概述

描述

STGAP2SiCD属于SiC MOSFET双栅极驱动器,用于在每个栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间提供电隔离。栅极驱动器支持4 A的电流能力和轨到轨输出,适合中到高功率应用,如功率转换和工业电机驱动器逆变器。独立的输出引脚允许使用专用栅极电阻单独优化导通和关断,而Miller钳位功能可在半桥拓扑的快速换向期间避免栅极尖峰。该器件集成了保护功能:提供专用SD和BRAKE引脚,包含UVLO和热关断功能,便于轻松设计高度可靠的系统。在半桥拓扑中,联锁功能防止输出同时为高,避免错误的逻辑输入指令导致出现击穿情况。可通过专用配置引脚禁用联锁功能,允许两个通道独立和并行运行。输入到输出的传播延迟在75 ns内,PWM控制精度高。可以使用待机模式以降低空闲时的功耗。

  • 所有功能

    • 高压导轨达1200 V
    • 驱动器电流能力:4 A灌/拉@25°C
    • dV/dt瞬态抗扰度±100 V/ns
    • 总输入 - 输出传播延迟:75 ns
    • 独立的电流拉灌选项,轻松实现栅极驱动配置
    • 4 A Miller钳位
    • UVLO功能
    • 可配置的联锁功能
    • 专用SD和制动pins
    • 栅极驱动电压高达26 V
    • 具有迟滞的3.3 V,5 V TTL / CMOS输入
    • 温度关闭保护
    • 待机功能
    • 6 kV电隔离
    • 宽体SO-36W封装

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STMicroelectronics - STGAP2SICD

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