- A2P75S12M3-F ACEPACK 2 Sixpack拓扑，1200 V、75 A，沟槽栅场截止IGBT M系列，软二极管和NTC
- A2C35S12M3 ACEPACK 2整流逆变制动1200 V、35 A沟槽栅场截止IGBT M系列，软二极管和NTC
- A1P50S65M2 ACEPACK 1 Sixpack拓扑，650 V、50 A，沟槽栅场截止IGBT M系列，软二极管和NTC
- A1P50S65M2-F ACEPACK 1 Sixpack拓扑，650 V、50 A，沟槽栅场截止IGBT M系列，软二极管和NTC
- A1P25S12M3-F ACEPACK 1 Sixpack拓扑，1200 V、25 A，沟槽栅场截止IGBT M系列，软二极管和NTC
- A2C50S65M2 ACEPACK 2整流逆变制动650 V、50 A沟槽栅场截止IGBT M系列，软二极管和NTC
- A1P35S12M3-F ACEPACK1 Sixpack拓扑，1200 V、35 A，沟槽栅场截止IGBT M系列，软二极管和NTC
- A2C25S12M3 ACEPACK 2整流逆变制动1200 V、25 A沟槽栅场截止IGBT M系列，软二极管和NTC
- A2C35S12M3-F ACEPACK 2整流逆变制动1200 V、35 A沟槽栅场截止IGBT M系列，软二极管和NTC
- A2C50S65M2-F ACEPACK 2整流逆变制动650 V、50 A沟槽栅场截止IGBT M系列，软二极管和NTC
- A1C15S12M3-F ACEPACK 1整流逆变制动1200 V、15 A沟槽栅场截止IGBT M系列，软二极管和NTC
- A2U12M12W2-F1C ACEPACK 2 power module, 3-level topology, 1200 V, 100 A based on SiC Power MOSFET
- A1P35S12M3 ACEPACK1 Sixpack拓扑，1200 V、35 A，沟槽栅场截止IGBT M系列，软二极管和NTC
- A1F25M12W2-F1 ACEPACK 1电源模块，fourpack拓扑，1200 V，23 mOhm（典型值），SiC MOSFET第二代（配NTC）
- A1P25S12M3 ACEPACK 1 Sixpack拓扑，1200 V、25 A，沟槽栅场截止IGBT M系列，软二极管和NTC
- A2P75S12M3 ACEPACK 2 Sixpack拓扑，1200 V、75 A，沟槽栅场截止IGBT M系列，软二极管和NTC
- A2C25S12M3-F ACEPACK 2整流逆变制动1200 V、25 A沟槽栅场截止IGBT M系列，软二极管和NTC
- A1C15S12M3 ACEPACK 1整流逆变制动1200 V、15 A沟槽栅场截止IGBT M系列，软二极管和NTC
- A2F12M12W2-F1 ACEPACK 2电源模块四单元拓扑，1200V，13mOhm典型值，配备NTC的第二代SiC Power MOFET
- A2U12M12W2-F2 ACEPACK 2电源模块三电平拓扑，1200V，13mOhm典型值，配备NTC的第二代SiC Power MOSFET
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