1200V M系列-低损耗（2至20 kHz）

1200 V IGBT M系列基于沟槽场截止（TFS）技术，设计用于在2-20 kHz开关频率下工作的应用。这些IGBT具有高度优化的导通和关断特性以及开启损耗，非常适用于太阳能逆变器、焊接设备、UPS和工业电机驱动器等应用中的硬开关电路中。IGBT属于STPOWER系列。

150°C起始结温下的10 µs最短短路承受时间结合175°C的最大工作结温以及较宽的安全工作区（SOA），确保在恶劣环境中具有稳定的性能。

对于成本敏感型应用，可提供无二极管型号。该系列的额定电流为8 A、15 A、25 A和40 A，可提供标准或长引线TO-247封装。

STPOWER IGBT主要特征：

• 低损耗IGBT系列适合最高20 kHz的应用
• 1200 V的击穿电压，10 µs的最小短路额定值（150°C启动T_J）和175°C最大工作T_J条件下，具有很高的稳健性和可靠性
• 纤薄的IGBT晶片增加了热阻
• 正V_CE（sat）温度系数，紧凑的参数分布，简化设计，易于并联
• 优化二极管可实现快速恢复（高平缓性、低EMI和开启损耗)

意法半导体的1200 V IGBT M系列适用于最大20 kHz的硬开关拓扑结构，补充了1200 V IGBT S系列和H系列，分别能在最大8 kHz以及20 kHz以上频率下提供最佳效率。

我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护，提供高可靠性和安全性，帮助设计人员为客制化的高效应用（将具有很长的使用寿命）找到正确的解决方案。