1200V M系列-低损耗（2至20 kHz）

1200 V IGBT M系列基于沟槽场截止（TFS）技术，设计用于在2-20 kHz开关频率下工作的应用。这些IGBT具有高度优化的导通和开关特性，非常适用于工业驱动器、HVAC、工业泵、太阳能逆变器以及UPS等应用。IGBT属于STPOWER系列。

150°C起始结温下的10 µs最短短路承受时间结合175°C的最大工作结温以及较宽的安全工作区（SOA），确保在恶劣环境中具有稳定的性能。

STPOWER IGBT 1200V M系列采用分立封装（TO220、标准或长引线TO-247，以及MAX247长引线封装）时的额定电流范围是8 A - 50 A，采用裸露晶片形式时的额定电流可达75A。

主要特性：

• 低损耗IGBT系列适合最高20 kHz的应用
• 具有1200 V击穿电压、10 µs最短短路承受时间（在150°C起始T_J下）以及175°C的扩展最大工作T_J，稳健性和可靠性高
• 纤薄的IGBT晶片增加了热阻
• 正V_CE（sat）温度系数，紧凑的参数分布，简化设计，易于并联
• 优化二极管可实现快速恢复（高平缓性、低EMI和开启损耗)

我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护，提供高可靠性和安全性，帮助设计人员为客制化的高效应用（将具有很长的使用寿命）找到正确的解决方案。