1200 V IGBT S系列基于沟槽场截止（TFS）技术，设计用于在超低频率（最大8 kHz）下工作的应用。它们具有最低的组合导通损耗和关断损耗，使设计人员能够提高UPS、太阳能发电机、焊机和工业电机驱动器的功率转换效率。IGBT属于STPOWER系列。
此外，在目前市场中的1200 V IGBT中，S系列IGBT的VCE（sat）最低，这样确保了降低压降并最大限度减小功耗，从而简化热管理。
10 µs最短短路承受时间（在150°C起始结温下）结合175°C的扩展最大工作结温以及较宽的安全工作区（SOA），确保器件可靠性和稳定性。
1200 V IGBT S系列采用标准或长引线TO-247封装，可提供15 A、25 A和40 A额定电流，结合出色的稳定性和EMI性能，实现了导通和开关性能之间的最佳平衡。
STPOWER IGBT主要特征：
- 在目前市场中的1200 V IGBT中的VCE（sat）最低
- 低压降IGBT系列专为开关频率最大8 kHz的高功率工业驱动器而设计
- 1200 V的击穿电压，10 µs的最小短路额定值（150°C启动TJ）和175°C最大工作TJ条件下，具有很高的稳健性和可靠性
- 纤薄的IGBT晶片增加了热阻
- 正VCE（sat）温度系数，紧凑的参数分布，简化设计，易于并联
- 优化二极管可实现快速恢复（高平缓性、低EMI和开启损耗)
意法半导体的1200 V IGBT S系列适用于最大8 kHz的硬开关拓扑结构，补充了1200 V IGBT M系列和H系列，分别能在最大20 kHz以及20 kHz以上频率下提供最佳效率。
我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护，提供高可靠性和安全性，帮助设计人员为客制化的高效应用（将具有很长的使用寿命）找到正确的解决方案。