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1200 V IGBT S系列基于沟槽场截止(TFS)技术,设计用于在超低频率(最大8 kHz)下工作的应用。它们兼具最低的导通损耗和关断损耗,使设计人员能够提高UPS、太阳能发电机、焊机和工业电机驱动器的功率转换效率。IGBT属于STPOWER™系列。

此外,在目前市场中的1200 V IGBT中,S系列IGBT的VCE(sat) 最低,这样确保了更低的压降并最大限度减小功耗,从而简化热管理。

10 µs最短短路耐受时间(在150°C起始结温下)结合175°C的扩展最大工作结温以及较宽的安全工作区(SOA),确保器件可靠性和稳定性。

1200 V IGBT S系列采用标准或长引线TO-247封装,可提供15 A、25 A和40 A额定电流,结合出色的稳定性和EMI性能,实现了导通和开关性能之间的最佳平衡。

主要特性:

  • 在目前市场上1200 V IGBT中的 VCE(sat) 最低
  • 低压降IGBT系列专为开关频率最大为8 kHz的高功率工业驱动器而设计
  • 具有1200 V击穿电压、10 µs最短短路承受时间 (在 150 °C 起始结温下 TJ) 以及175°C扩展最大工作结温 TJ ,稳定性和可靠性高
  • 纤薄的IGBT晶片增加了热阻
  • 正VCE(sat) 温度系数和紧凑的参数分布,简化设计并易于并联
  • 优化二极管可实现快速恢复(高平缓性、低EMI和开启损耗)

意法半导体的1200 V IGBT S系列适用于最大8 kHz的硬开关拓扑结构,扩充了1200 V IGBT M系列和H系列,这两个系列分别能在最大20 kHz以及20 kHz以上频率下提供最佳效率。

我们种类繁多的STPOWER™产品组合采用先进的封装和防护,提供高可靠性和安全性,帮助设计人员为客制化的高效应用(将具有很长的使用寿命)找到正确的解决方案。

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