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High power NPN epitaxial planar bipolar transistor

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  • The device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear amplifier) technology. The resulting transistor shows good gain linearity behaviour.

    主要特性

    • High breakdown voltage VCEO = 140 V
    • Typical ft = 20 MHz
    • Fully characterized at 125 oC

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      DS7187
      High power NPN epitaxial planar bipolar transistor
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      DS7187

      High power NPN epitaxial planar bipolar transistor

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