2STR1160

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Low voltage fast-switching NPN power transistor

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  • The device in a NPN transistor manufactured using new “PB-HCD” (Power Bipolar High Current Density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.

    The complementary PNP is the 2STR2160.

    主要特性

    • Very low collector-emitter saturation voltage
    • High current gain characteristic
    • Fast switching speed
    • Miniature SOT-23 plastic package for surface mounting circuits

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2STR1160 SOT-23 Tape And Reel
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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS5711
      Low voltage fast-switching NPN power transistor
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      DS5711

      Low voltage fast-switching NPN power transistor

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 Material Declaration**
2STR1160
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SOT-23 工业 Ecopack2

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Package:

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