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意法半导体的600 V IGBT V系列基于先进的专用沟槽栅场终止(TFS)结构,具有业内最低的关断能量(Eoff)和低传导损耗,提高了高开关频率应用的效率,例如焊机、太阳能逆变器、感应加热器、UPS、PFC和SMPS。IGBT属于STPOWER™系列。

由于配备了超快速恢复二极管,所以还可以将启动能量损耗降至最低。严格控制参数和正VCE(sat)降额实现了多个IGBT的安全并联,从而满足更高的功率要求和简化设计。

600 V IGBT V系列器件的额定电流为20 ~ 80 A,最高工作温度达175 ˚C,具有高dV/dt能力,性能极为稳定。还为成本较敏感的应用提供了无二极管版本。

主要特性:

  • 超高速IGBT系列(50-100 kHz)
  • 具有175°C的极高工作结温TJ和600 V的击穿电压,稳定性和可靠性高
  • 行业最低Eoff 提高了效率
  • 正温度系数可实现多个IGBTs的安全并联
  • 多种封装选项满足不同应用需求

我们种类繁多的STPOWER™产品组合采用先进的封装和防护,提供高可靠性和安全性,帮助设计人员为客制化的高效应用(将具有很长的使用寿命)找到正确的解决方案。


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