650 V IGBT HB系列基于沟槽场截止(TFS)技术,适于在16-60 kHz之间的开关频率下工作的应用。IGBT属于STPOWER系列。
这些高速650 V IGBT具有非常低的饱和电压(典型值为1.6 V)、极小的集电极拖尾电流断开值和175 °C的最大工作温度,可提高焊机、PFC转换器、UPS和太阳能逆变器等应用的能源效率。
HB系列还包括具有低压降续流二极管的IGBT,用于软开关应用。
这些IGBT的额定电流在20-80 A范围之间,可提供广泛的功率封装选项(D2PAK、TO-220、TO-3P、TO-3PF、TO-247、TO-247 LL和TO-247 4L)。
STPOWER IGBT主要特征:
- 高速IGBT:16 至 60 kHz
- 具有高达175°C的工作TJ和650 V的击穿电压,稳定可靠
- 极低的VCE(sat)(低至1.6 V典型)
- 正VCE(sat)温度系数可实现多个IGBT的安全并联
- 组合封装二极管适用于谐振或硬开关电路
我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护,提供高可靠性和安全性,帮助设计人员为客制化的高效应用(将具有很长的使用寿命)找到正确的解决方案。

- STGH30H65DFB-2AG 汽车级600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
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- STGO30H60DLLFBAG 汽车级沟槽栅场截止600 V@30 A高速HB系列IGBT,采用TO-LL封装
- STGB40H65FB 650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
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- STGW80H65FB 650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
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- STGW60H65FB 650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
- STGWT80H65DFB 650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
- STGW80H65DFB 650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
- STGFW40H65FB 650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
- STGSH80HB65DAG Automotive-grade ACEPACK SMIT half-bridge topology 650 V, 80 A HB series IGBT with diode
- STGW60H65DFB 650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
- STGW80H65DFB-4 650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
- STGW30H65FB 650 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
- STGWT60H65FB 650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
- STGWT60H65DFB 650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
- STGW40H65DFB-4 650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
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- STGWT40HP65FB 650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
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- STGWA30H65DFB 650 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT,TO-247长引线封装
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- STGWA80H65DFBAG Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT in a TO-247 long leads package
- STGW60H60DLFB 600 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT