650 V IGBT HB2系列基于沟槽场截止 (TFS) 技术，针对在16-60 kHz之间的开关频率下工作的应用进行了优化，代表了HB系列的进步。IGBT属于STPOWER系列。
与以前的HB系列相比，该中速/高速HB2 IGBT系列结合了更低的饱和电压（典型值为1.55 V）与更低的总栅极电荷，从而确保关断时的过冲电压最小化（即使栅极阻抗很小）并降低应用中的关断能耗。上述特征使这些IGBT非常适合焊机、PFC转换器、UPS和太阳能逆变器，以及直流充电应用。HB2系列具有从15A至100 A的宽电流能力，提供具有三种不同二极管选项（保护二极管、半额定和全额定二极管）的产品组合，并提供广泛的电源封装选项（D2PAK、TO-220、TO-220FP、TO-247长引线和TO247-4）。
|| 新品 ||HB2系列新增加了3款STPOWER IGBT（包括50、75和100 A）器件，采用高性能的TO247-4引线封装。除了性能优异的HB2系列所提供的优点，新款IGBT还采用额外的驱动Kelvin引脚，提高了开关性能。新款4引线封装显著降低了开关能耗，确保提高太阳能逆变器和UPS的整体系统效率。
为了增强单相PFC、提升拓扑应用，避免集电极到发射极端子之间的意外反向过电压，意法半导体提供一些从20A至50 A范围的专用产品，内置保护二极管，该二极管采用到247长引线封装，属于HP2子系列。
STPOWER IGBT主要特征：
- 极低 VCE(sat)（1.55 V典型）
- 低QG
- 高稳定性和可靠性
- 最高工作温度TJ：175 °C
我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护，提供高可靠性和安全性，帮助设计人员为客制化的高效应用（将具有很长的使用寿命）找到合适的解决方案。