650V M系列-低损耗（2至20 kHz）

650 V IGBT M系列专为硬开关电路拓扑结构中在2-20 kHz频率之间工作的应用而设计，实现了导通损耗和开关损耗的最佳平衡。IGBT属于STPOWER系列。

150°C起始结温下6 µs的最短短路承受时间结合175°C的最高工作结温以及较宽的安全工作区（SOA），延长了使用寿命，并提高了在需要高功耗的应用中的可靠性。

该器件的额定电流范围为4-200 A，可提供各种封装选项，其包含的新一代续流二极管可以实现快速恢复，同时保持低正向压降和高平缓性。

STPOWER IGBT主要特征：

• 低损耗IGBT适合最大20 kHz的应用
• 具有650 V击穿电压、6 µs最短短路承受时间（150 °C起始T_J）以及175°C最大扩展工作T_J，稳定性和可靠性高
• 纤薄的IGBT晶片增加了热阻
• 正V_CE（sat）温度系数，紧凑的参数分布，简化设计，易于并联
• 优化二极管可实现快速恢复（高平缓性、低EMI和开启损耗)

我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护，提供高可靠性和安全性，帮助设计人员为客制化的高效应用（将具有很长的使用寿命）找到正确的解决方案。